
To
Informació del projecte
ID: 658349
Fecha inicio
15-06-2015
Fecha fin
14-06-2017
Coordinador institucional
Finançament
170 121,60 Euros
(Total amount or amount awarded)
Anàlisi d'autories institucional
Sanchez Garcia, Miguel AngelParticipantXie, MengyaoBecari/àriaCalleja Pardo, EnriqueInvestigador principal16 demarç de 2021
Projectes d'R+D+i i ajudes
> Projecte competitiu
No
Towards p-type conductivity in In0.5Ga0.5N nanocolumns on a Si (100) substrate with GaN buffer layers
Investigadors/es: Calleja Pardo, Enrique (Investigador principal (IP)); XIE, MENGYAO (Becario/a); Sanchez Garcia, Miguel Angel (Participante)
Afiliacions
UPM. Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM (Grupo de investigacion)
UPM. GRupo de Innovación Docente en Ingeniería y Sistemas electrónicos (Innovation group)
UPM. INGENIERÍA ELECTRÓNICA (University Department)
UPM. Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (Institute or University Research Center)
UPM. Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (Institute or University Research Center)
Veure més