{rfName}
Mi

Indexat a

Llicència i ús

Icono OpenAccess

Citacions

68

Altmetrics

Anàlisi d'autories institucional

Monge Bartolome L.Autor o coautor

Compartir

27 defebrer de 2025
Publicacions
>
Review
No

Mid-infrared III–V semiconductor lasers epitaxially grown on Si substrates

Publicat a: Light-Science & Applications. 11 (1): - 2022-01-01 11(1), DOI: 10.1038/s41377-022-00850-4

Autors:

Tournié E; Monge Bartolome L; Rio Calvo M; Loghmari Z; Díaz-Thomas DA; Teissier R; Baranov AN; Cerutti L; Rodriguez J-B
[+]

Afiliacions

IES; University of Montpellier; CNRS; Montpellier; 34000; France - Autor o coautor

Resum

There is currently much activity toward the integration of mid-infrared semiconductor lasers on Si substrates for developing a variety of smart, compact, sensors based on Si-photonics integrated circuits. We review this rapidly-evolving research field, focusing on the epitaxial integration of antimonide lasers, the only technology covering the whole mid-to-far-infrared spectral range. We explain how a dedicated molecular-beam epitaxy strategy allows for achieving high-performance GaSb-based diode lasers, InAs/AlSb quantum cascade lasers, and InAs/GaInSb interband cascade lasers by direct growth on on-axis (001)Si substrates, whereas GaAs-on-Si or GaSb-on-Si layers grown by metal-organic vapor phase epitaxy in large capability epitaxy tools are suitable templates for antimonide laser overgrowth. We also show that etching the facets of antimonide lasers grown on Si is a viable approach in view of photonic integrated circuits. Remarkably, this review shows that while diode lasers are sensitive to residual crystal defects, the quantum cascade and interband cascade lasers grown on Si exhibit performances comparable to those of similar devices grown on their native substrates, due to their particular band structures and radiative recombination channels. Long device lifetimes have been extrapolated for interband cascade lasers. Finally, routes to be further explored are also presented. © 2022, The Author(s).
[+]

Paraules clau

AntimonidesDiode-laserEpitaxially grownEtchingGallium arsenideIii-v semiconductorsIii/v semiconductorsIndium arsenideInfrared devicesInfrared semiconductor lasersInterband cascade laserMetallorganic vapor phase epitaxyMidinfraredMolecular beam epitaxyOrganometallicsPerformancePhotonic devicesPhotonics integrated circuitsQuantum cascade lasersSi substratesSubstrates

Indicis de qualitat

Impacte bibliomètric. Anàlisi de la contribució i canal de difusió

El treball ha estat publicat a la revista Light-Science & Applications a causa de la seva progressió i el bon impacte que ha aconseguit en els últims anys, segons l'agència WoS (JCR), s'ha convertit en una referència en el seu camp. A l'any de publicació del treball, 2022, es trobava a la posició 3/100, aconseguint així situar-se com a revista Q1 (Primer Cuartil), en la categoria Optics. Destacable, igualment, el fet que la revista està posicionada per sobre del Percentil 90.

Des d'una perspectiva relativa, i atenent a l'indicador de impacte normalitzat calculat a partir de les Citacions Mundials de Scopus Elsevier, proporciona un valor per a la mitjana Ponderada de l'Impacte Normalitzat de l'agència Scopus: 3.72, el que indica que, comparat amb treballs en la mateixa disciplina i en el mateix any de publicació, el situa com un treball citat per sobre de la mitjana. (font consultada: ESI 13 Nov 2025)

Concretament, i atenent a les diferents agències d'indexació, aquest treball ha acumulat, fins a la data 2025-12-21, el següent nombre de cites:

  • Scopus: 48
[+]

Impacte i visibilitat social

Des de la dimensió d'influència o adopció social, i prenent com a base les mètriques associades a les mencions i interaccions proporcionades per agències especialitzades en el càlcul de les denominades "Mètriques Alternatives o Socials", podem destacar a data 2025-12-21:

  • L'ús, des de l'àmbit acadèmic evidenciat per l'indicador de l'agència Altmetric referit com a agregacions realitzades pel gestor bibliogràfic personal Mendeley, ens dona un total de: 73.
  • L'ús d'aquesta aportació en marcadors, bifurcacions de codi, afegits a llistes de favorits per a una lectura recurrent, així com visualitzacions generals, indica que algú està fent servir la publicació com a base del seu treball actual. Això pot ser un indicador destacat de futures cites més formals i acadèmiques. Aquesta afirmació està avalada pel resultat de l'indicador "Capture", que aporta un total de: 74 (PlumX).

Amb una intenció més de divulgació i orientada a audiències més generals, podem observar altres puntuacions més globals com:

  • El Puntuació total de Altmetric: 4.
  • El nombre de mencions a la xarxa social Facebook: 1 (Altmetric).
  • El nombre de mencions a la xarxa social X (abans Twitter): 7 (Altmetric).

És fonamental presentar evidències que recolzin l'alineació plena amb els principis i directrius institucionals sobre Ciència Oberta i la Conservació i Difusió del Patrimoni Intel·lectual. Un clar exemple d'això és:

  • El treball s'ha enviat a una revista la política editorial de la qual permet la publicació en obert Open Access.
[+]

Anàlisi del lideratge dels autors institucionals

Aquest treball s'ha realitzat amb col·laboració internacional, concretament amb investigadors de: France.

[+]