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Monge Bartolome L.Autor o Coautor

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27 de febrero de 2025
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Review
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Mid-infrared III–V semiconductor lasers epitaxially grown on Si substrates

Publicado en: Light-Science & Applications. 11 (1): - 2022-01-01 11(1), DOI: 10.1038/s41377-022-00850-4

Autores:

Tournié E; Monge Bartolome L; Rio Calvo M; Loghmari Z; Díaz-Thomas DA; Teissier R; Baranov AN; Cerutti L; Rodriguez J-B
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Afiliaciones

IES; University of Montpellier; CNRS; Montpellier; 34000; France - Autor o Coautor

Resumen

There is currently much activity toward the integration of mid-infrared semiconductor lasers on Si substrates for developing a variety of smart, compact, sensors based on Si-photonics integrated circuits. We review this rapidly-evolving research field, focusing on the epitaxial integration of antimonide lasers, the only technology covering the whole mid-to-far-infrared spectral range. We explain how a dedicated molecular-beam epitaxy strategy allows for achieving high-performance GaSb-based diode lasers, InAs/AlSb quantum cascade lasers, and InAs/GaInSb interband cascade lasers by direct growth on on-axis (001)Si substrates, whereas GaAs-on-Si or GaSb-on-Si layers grown by metal-organic vapor phase epitaxy in large capability epitaxy tools are suitable templates for antimonide laser overgrowth. We also show that etching the facets of antimonide lasers grown on Si is a viable approach in view of photonic integrated circuits. Remarkably, this review shows that while diode lasers are sensitive to residual crystal defects, the quantum cascade and interband cascade lasers grown on Si exhibit performances comparable to those of similar devices grown on their native substrates, due to their particular band structures and radiative recombination channels. Long device lifetimes have been extrapolated for interband cascade lasers. Finally, routes to be further explored are also presented. © 2022, The Author(s).
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Palabras clave

AntimonidesDiode-laserEpitaxially grownEtchingGallium arsenideIii-v semiconductorsIii/v semiconductorsIndium arsenideInfrared devicesInfrared semiconductor lasersInterband cascade laserMetallorganic vapor phase epitaxyMidinfraredMolecular beam epitaxyOrganometallicsPerformancePhotonic devicesPhotonics integrated circuitsQuantum cascade lasersSi substratesSubstrates

Indicios de calidad

Impacto bibliométrico. Análisis de la aportación y canal de difusión

El trabajo ha sido publicado en la revista Light-Science & Applications debido a la progresión y el buen impacto que ha alcanzado en los últimos años, según la agencia WoS (JCR), se ha convertido en una referencia en su campo. En el año de publicación del trabajo, 2022, se encontraba en la posición 3/100, consiguiendo con ello situarse como revista Q1 (Primer Cuartil), en la categoría Optics. Destacable, igualmente, el hecho de que la Revista está posicionada por encima del Percentil 90.

Desde una perspectiva relativa, y atendiendo al indicador del impacto normalizado calculado a partir de las Citas Mundiales de Scopus Elsevier, arroja un valor para la media Ponderada del Impacto Normalizado de la agencia Scopus: 3.72, lo que indica que, de manera comparada con trabajos en la misma disciplina y en el mismo año de publicación, lo ubica como trabajo citado por encima de la media. (fuente consultada: ESI 13 Nov 2025)

De manera concreta y atendiendo a las diferentes agencias de indexación, el trabajo ha acumulado, hasta la fecha 2025-12-21, el siguiente número de citas:

  • Scopus: 48
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Impacto y visibilidad social

Desde la dimensión de Influencia o adopción social, y tomando como base las métricas asociadas a las menciones e interacciones proporcionadas por agencias especializadas en el cálculo de las denominadas “Métricas Alternativas o Sociales”, podemos destacar a fecha 2025-12-21:

  • El uso, desde el ámbito académico evidenciado por el indicador de la agencia Altmetric referido como agregaciones realizadas por el gestor bibliográfico personal Mendeley, nos da un total de: 73.
  • La utilización de esta aportación en marcadores, bifurcaciones de código, añadidos a listas de favoritos para una lectura recurrente, así como visualizaciones generales, indica que alguien está usando la publicación como base de su trabajo actual. Esto puede ser un indicador destacado de futuras citas más formales y académicas. Tal afirmación es avalada por el resultado del indicador “Capture” que arroja un total de: 74 (PlumX).

Con una intencionalidad más de divulgación y orientada a audiencias más generales podemos observar otras puntuaciones más globales como:

  • El Score total de Altmetric: 4.
  • El número de menciones en la red social Facebook: 1 (Altmetric).
  • El número de menciones en la red social X (antes Twitter): 7 (Altmetric).

Es fundamental presentar evidencias que respalden la plena alineación con los principios y directrices institucionales en torno a la Ciencia Abierta y la Conservación y Difusión del Patrimonio Intelectual. Un claro ejemplo de ello es:

  • El trabajo se ha enviado a una revista cuya política editorial permite la publicación en abierto Open Access.
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Análisis de liderazgo de los autores institucionales

Este trabajo se ha realizado con colaboración internacional, concretamente con investigadores de: France.

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