{rfName}
Ca

Indexat a

Llicència i ús

Citacions

112

Altmetrics

Anàlisi d'autories institucional

Rivera, CAutor o coautorCalleja, EAutor o coautorFernandez-Garrido, SAutor o coautor
Compartir
Publicacions
>
Article

Carrier-confinement effects in nanocolumnar GaN/AlxGa1-xN quantum disks grown by molecular-beam epitaxy

Publicat a:Physical Review b. 72 (8): - 2005-08-15 72(8), DOI: 10.1103/PhysRevB.72.085330

Autors: Ristic, J; Rivera, C; Calleja, E; Fernandez-Garrido, S; Povoloskyi, M; Di Carlo, A;

Afiliacions

Univ Politecn Madrid, Dept Ingn Elect, Madrid, Spain - Autor o coautor
Univ Politecn Madrid, ISOM, Madrid, Spain - Autor o coautor
Univ Roma Tor Vergata, Dipartimento Ingn Elettron, Rome, Italy - Autor o coautor

Resum

Carrier confinement effects in nanocolumnar AlxGa1-xN/GaN multiple quantum disks have been studied by photoluminescence, as a function of the Al content and quantum disk thickness. Experimental emission energies are compared to theoretical calculations based on a one-dimensional Schrodinger-Poisson solver, including spontaneous and piezoelectric polarizations, surface potentials, and strain. An inhomogeneous biaxial (in-plane) strain distribution within the GaN quantum disks, pseudomorphically grown on strain-free AlxGa1-xN nanocolumns, results from a reduction of the accumulated elastic energy at the disk free surface (GaN-air boundary). This strain reduction annihilates partially the piezoelectric field, giving rise to a specific carrier confinement mechanism (strain confinement), that depends on the disk thickness. This strain confinement mechanism is the origin of the luminescence quenching in very thin GaN quantum disks, as well as the main source of the emission linewidth broadening.

Paraules clau
FieldsGan nanocolumnsNitridesOptical-propertiesWellsWidth dependence

Indicis de qualitat

Impacte bibliomètric. Anàlisi de la contribució i canal de difusió

El treball ha estat publicat a la revista Physical Review b a causa de la seva progressió i el bon impacte que ha aconseguit en els últims anys, segons l'agència WoS (JCR), s'ha convertit en una referència en el seu camp. A l'any de publicació del treball, 2005, es trobava a la posició 7/60, aconseguint així situar-se com a revista Q1 (Primer Cuartil), en la categoria Physics, Condensed Matter.

Des d'una perspectiva relativa, i atenent a l'indicador de impacte normalitzat calculat a partir del Field Citation Ratio (FCR) de la font Dimensions, proporciona un valor de: 12.45, el que indica que, comparat amb treballs en la mateixa disciplina i en el mateix any de publicació, el situa com un treball citat per sobre de la mitjana. (font consultada: Dimensions May 2025)

Concretament, i atenent a les diferents agències d'indexació, aquest treball ha acumulat, fins a la data 2025-05-18, el següent nombre de cites:

  • WoS: 54
  • Scopus: 58
  • OpenCitations: 51
Impacte i visibilitat social

Des de la dimensió d'influència o adopció social, i prenent com a base les mètriques associades a les mencions i interaccions proporcionades per agències especialitzades en el càlcul de les denominades "Mètriques Alternatives o Socials", podem destacar a data 2025-05-18:

  • L'ús d'aquesta aportació en marcadors, bifurcacions de codi, afegits a llistes de favorits per a una lectura recurrent, així com visualitzacions generals, indica que algú està fent servir la publicació com a base del seu treball actual. Això pot ser un indicador destacat de futures cites més formals i acadèmiques. Aquesta afirmació està avalada pel resultat de l'indicador "Capture", que aporta un total de: 52 (PlumX).
Anàlisi del lideratge dels autors institucionals

Aquest treball s'ha realitzat amb col·laboració internacional, concretament amb investigadors de: Italy.

Hi ha un lideratge significatiu, ja que alguns dels autors pertanyents a la institució apareixen com a primer o últim signant, es pot apreciar en el detall: Primer Autor (Ristic, J) .

l'autor responsable d'establir les tasques de correspondència ha estat Ristic, J.