B.2. Breve descripción del Trabajo de Fin de Máster (TFM) y puntuación obtenida

El principal objetivo del presente trabajo es la fabricación de pseudo-substratos de GaN/InGaN crecidos por epitaxia de haces moleculares asistida por plasma (PAMBE). A partir de matrices ordenadas de nanocolumnas (NCs), obtenidas mediante Crecimiento Selectivo (SAG) sobre substratos semi-polares (11-22) y no-polares (a-plane) de GaN/zafiro, el proceso controlado de coalescencia genera capas compactas bidimensionales (2D).

Una vez producida la coalescencia la calidad de las películas 2D obtenidas aumenta considerablemente en muestras crecidas en la dirección no-polar, mientras que se degrada en orientaciones semi-polares. En estas últimas, la coalescencia tiene lugar a partir de nano-cristales 3D que involucran varios planos cristalinos y que presentan una dispersión de tamaños considerable que genera una importante densidad de dislocaciones, aunque se produce el filtrado de SFs debido a la geometría especifica de los planos cristalinos involucrados. Sin embargo en muestras crecidas en direcciones no-polares, aunque no hay filtrado de SFs, la calidad de la capa 2D aumenta progresivamente porque la coalescencia se produce a lo largo de cadenas de nano-cristales orientados  en la dirección c, lo que genera menos dislocaciones.

Al crecer una capa de InGaN sobre las matrices de NCs de GaN el resultado más sorprendente es que la incorporación de In depende del plano cristalino considerado. En las muestras semi-polares los espectros de PL muestran dos picos de emisión, relacionados con el InGaN, que provienen de los planos c y m, y que se funden en uno solo cuando la coalescencia es plena. Un comportamiento parecido se observa en las muestras crecidas en dirección no polar, aunque las causas son diferentes. En ambas orientaciones la capa 2D resultante presenta una importante rugosidad superficial que debe poder disminuirse creciendo una capa gruesa encima.