{rfName}
Ar

Indexado en

APC

0,00 Dollars
doaj

Licencia y uso

Icono OpenAccess

Citaciones

6

Altmetrics

Investigadores/as Institucionales

Orejuela, VAutor (correspondencia)Rey-Stolle, IAutor o CoautorGarcia, IAutor (correspondencia)Garcia-Tabares, EAutor o Coautor

Compartir

2 de junio de 2024
Publicaciones
>
Artículo
Sí

Arsenic Diffusion in MOVPE-Grown GaAs/Ge Epitaxial Structures

Publicado en: Advanced Electronic Materials. 10 (9): - 2024-09-01 10(9), DOI: 10.1002/aelm.202400021

Autores:

Orejuela, V; Orejuela, V; Rey-Stolle, I; Rey-Stolle, I; Garcia, I; Garcia, I; Garcia-Tabares, E; Garcia-Tabares, E
[+]

Afiliaciones

Univ Carlos III Madrid, Dept Fis, Leganes 28911, Madrid, Spain - Autor o Coautor
Univ Politecn Madrid, Inst Energia Solar, Semicond 3 5, Madrid 28040, Spain - Autor o Coautor

Resumen

Germanium is reemerging as a prominent material in the semiconductor field, particularly for electronic applications, photonics, photovoltaics, and thermophotovoltaics. Its combination with III-V compound semiconductors through epitaxial growth by metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) is instrumental and thus, the comprehension of the sequential stages in such epitaxial processes is of great importance. During the deposition of GaAs on p-type Ge, the formation of n/p junctions occurs when As diffuses into Ge. It is found that this formation begins in the so-called AsH3 preexposure where Ge substrate is first exposed to AsH3. Also important is the fact that both free carrier profiles and As profiles indicate that prolonged AsH3 preexposure times lead to deeper diffusion depths for the same process time. This effect is concomitant with the degradation of the Ge surface morphology, characterized by higher roughness as the AsH3 preexposure duration is extended. Unlike ion-implanted As in Ge, which shows a quadratic dependent diffusivity, this MOVPE investigation using AsH3 indicates a linear relationship, consistent with Takenaka et al.'s MOVPE study using TBAs. The analysis of As profiles alongside simulations, with and without subsequent GaAs epitaxy, suggests the generation of Ge vacancies during the process, contributing to deeper As diffusion.
[+]

Palabras clave

As diffusionAsh preexposure 3Ash3 preexposureCooldown effectDiffusion enhancementGaas/ge movpe epitaxyGeGermaniuGermaniumPhosphorusSurface roughnesSurface roughnessVapor-phase epitaxy

Indicios de calidad

Impacto bibliométrico. Análisis de la aportación y canal de difusión

El trabajo ha sido publicado en la revista Advanced Electronic Materials debido a la progresión y el buen impacto que ha alcanzado en los últimos años, según la agencia WoS (JCR), se ha convertido en una referencia en su campo. En el año de publicación del trabajo, 2024 aún no existen indicios calculados, pero en 2023, se encontraba en la posición 43/187, consiguiendo con ello situarse como revista Q1 (Primer Cuartil), en la categoría Physics, Applied.

Independientemente del impacto esperado determinado por el canal de difusión, es importante destacar el impacto real observado de la propia aportación.

Según las diferentes agencias de indexación, el número de citas acumuladas por esta publicación hasta la fecha 2025-12-19:

  • WoS: 3
  • Scopus: 3
[+]

Impacto y visibilidad social

Desde la dimensión de Influencia o adopción social, y tomando como base las métricas asociadas a las menciones e interacciones proporcionadas por agencias especializadas en el cálculo de las denominadas “Métricas Alternativas o Sociales”, podemos destacar a fecha 2025-12-19:

  • La utilización de esta aportación en marcadores, bifurcaciones de código, añadidos a listas de favoritos para una lectura recurrente, así como visualizaciones generales, indica que alguien está usando la publicación como base de su trabajo actual. Esto puede ser un indicador destacado de futuras citas más formales y académicas. Tal afirmación es avalada por el resultado del indicador “Capture” que arroja un total de: 6 (PlumX).

Es fundamental presentar evidencias que respalden la plena alineación con los principios y directrices institucionales en torno a la Ciencia Abierta y la Conservación y Difusión del Patrimonio Intelectual. Un claro ejemplo de ello es:

  • El trabajo se ha enviado a una revista cuya política editorial permite la publicación en abierto Open Access.
[+]

Análisis de liderazgo de los autores institucionales

Existe un liderazgo significativo ya que algunos de los autores pertenecientes a la institución aparecen como primer o último firmante, se puede apreciar en el detalle: Primer Autor (OREJUELA SANCHEZ, VICTOR MANUEL) y Último Autor (GARCIA VARA, IVAN).

los autores responsables de establecer las labores de correspondencia han sido OREJUELA SANCHEZ, VICTOR MANUEL y GARCIA MARTIN, ISIDRO.

[+]

Reconocimientos ligados al ítem

I.G.V. acknowledges the support of project VIGNETRANSFER (grant number PDC2022-133445-I00) and I.R.S. acknowledges the support of project TEIDE (grant number TED2021-131990B-I00), both funded by the Spanish Ministerio de Ciencia e Innovacion/Agencia Estatal de Investigacion [MCIN/AEI DOI: 10. 13039/501100011033]. The epitaxy runs reported in this paper were carried out in an MOVPE reactor retrofitted with project RENOAIX200 (grant number EQC2019-005701-P) funded also by Spanish MCIN/AEI and FEDER "Una manera de hacer Europa". Part of the equipment used in this research for TPV cell manufacturing was acquired through project LABCELL30 [grant number EQC2021-006851-P] with funding from the Spanish Ministerio de Ciencia e Innovacion/Agencia Estatal de Investigacion [MCIN/AEI 10.13039/501100011033] and the European Union "NextGenerataionEU"/PRTR ''. V. Orejuela is funded by the Spanish Ministerio de Ciencia e Innovacion (MCIN) through an FPI grant (PRE2019-088437).
[+]