{rfName}
Em

Altmetrics

Investigadores/as Institucionales

Sanchez-Garcia, M. A.Autor o CoautorCalleja, E.Autor o Coautor

Compartir

9 de junio de 2019
Publicaciones
>
Artículo
No

Emission control of InGaN nanocolumns grown by molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates

Publicado en: APPLIED PHYSICS LETTERS. 99 (13): 131108- - 2011-09-26 99(13), DOI: 10.1063/1.3644986

Autores:

Albert, S; Bengoechea-Encabo, A; Lefebvre, P; Sanchez-Garcia, M A; Calleja, E; Jahn, U; Trampert, A
[+]

Afiliaciones

Paul Drude Inst Festkorperelekt, D-10117 Berlin, Germany - Autor o Coautor
Univ Montpellier 2, F-34095 Montpellier 5, France - Autor o Coautor
Univ Politecn Madrid, Dept Ingn Elect, ETSI Telecomunicac, E-28040 Madrid, Spain - Autor o Coautor
Univ Politecn Madrid, ISOM, E-28040 Madrid, Spain - Autor o Coautor
Ver más

Resumen

This work studies the effect of the growth temperature on the morphology and emission characteristics of self-assembled InGaN nanocolumns grown by plasma assisted molecular beam epitaxy. Morphology changes are assessed by scanning electron microscopy, while emission is measured by photoluminescence. Within the growth temperature range of 750 to 650 degrees C, an increase in In incorporation for decreasing temperature is observed. This effect allows tailoring the InGaN nanocolumns emission line shape by using temperature gradients during growth. Depending on the gradient rate, span, and sign, broad emission line shapes are obtained, covering the yellow to green range, even yielding white emission. (C) 2011 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3644986]
[+]

Palabras clave

Gallium compoundsGan nanocolumnsIii-v semiconductorsIndium compoundsMechanismsMolecular beam epitaxial growthNanofabricationNanostructured materialsPhotoluminescencePlasma materials processingScanning electron microscopySelf-assemblySemiconductor growthStrainWide band gap semiconductors

Indicios de calidad

Impacto bibliométrico. Análisis de la aportación y canal de difusión

El trabajo ha sido publicado en la revista APPLIED PHYSICS LETTERS debido a la progresión y el buen impacto que ha alcanzado en los últimos años, según la agencia WoS (JCR), se ha convertido en una referencia en su campo. En el año de publicación del trabajo, 2011, se encontraba en la posición 17/125, consiguiendo con ello situarse como revista Q1 (Primer Cuartil), en la categoría Physics, Applied.

Independientemente del impacto esperado determinado por el canal de difusión, es importante destacar el impacto real observado de la propia aportación.

Según las diferentes agencias de indexación, el número de citas acumuladas por esta publicación hasta la fecha 2026-04-24:

  • WoS: 27
  • Scopus: 29
[+]

Impacto y visibilidad social

Desde la dimensión de Influencia o adopción social, y tomando como base las métricas asociadas a las menciones e interacciones proporcionadas por agencias especializadas en el cálculo de las denominadas “Métricas Alternativas o Sociales”, podemos destacar a fecha 2026-04-24:

  • El uso, desde el ámbito académico evidenciado por el indicador de la agencia Altmetric referido como agregaciones realizadas por el gestor bibliográfico personal Mendeley, nos da un total de: 38.
  • La utilización de esta aportación en marcadores, bifurcaciones de código, añadidos a listas de favoritos para una lectura recurrente, así como visualizaciones generales, indica que alguien está usando la publicación como base de su trabajo actual. Esto puede ser un indicador destacado de futuras citas más formales y académicas. Tal afirmación es avalada por el resultado del indicador “Capture” que arroja un total de: 38 (PlumX).

Con una intencionalidad más de divulgación y orientada a audiencias más generales podemos observar otras puntuaciones más globales como:

  • El Score total de Altmetric: 1.

Es fundamental presentar evidencias que respalden la plena alineación con los principios y directrices institucionales en torno a la Ciencia Abierta y la Conservación y Difusión del Patrimonio Intelectual. Un claro ejemplo de ello es:

  • Asignación de un Handle/URN como identificador dentro del Depósito en el Repositorio Institucional: https://oa.upm.es/11858/

Como resultado de la publicación del trabajo en el repositorio institucional, se han obtenido datos estadísticos de uso que reflejan su impacto. En términos de difusión, podemos afirmar que, hasta la fecha

  • Visualizaciones: 494
  • Descargas: 421
[+]

Análisis de liderazgo de los autores institucionales

Este trabajo se ha realizado con colaboración internacional, concretamente con investigadores de: France; Germany.

Existe un liderazgo significativo ya que algunos de los autores pertenecientes a la institución aparecen como primer o último firmante, se puede apreciar en el detalle: Primer Autor (Albert, S.) .

[+]

Reconocimientos ligados al ítem

We acknowledge partial financial support by the EU FP7 via Contract No. SMASH 228999-2 and the Initial training network RAINBOW Project No. PITN-GA-2008-213238 and by Spanish Project Nos. CAM/P2009/ESP-1503 and MICINN MAT2008-04815.
[+]