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Investigadores/as Institucionales

Fuentes Iriarte, GonzaloAutor o CoautorCalle, F.Autor o Coautor

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9 de junio de 2019
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Fabrication of sub-100 nm IDT SAW devices on insulating, semiconducting and conductive substrates

Publicado en: JOURNAL OF MATERIALS PROCESSING TECHNOLOGY. 212 (3): 707-712 - 2012-03-01 212(3), DOI: 10.1016/j.jmatprotec.2011.08.007

Autores:

Iriarte, GF; Rodriguez-Madrid, JG; Calle, F
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Afiliaciones

Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM. Universidad Politécnica de Madrid - Autor o Coautor
Univ Politecn Madrid, Inst Sistemas Optoelect & Microtecnol, ETSI Telecomunicac, E-28040 Madrid, Spain - Autor o Coautor

Resumen

This work describes the electron-beam (e-beam) lithography process developed to manufacture nano interdigital transducers (IDTs) to be used in high frequency (GHz) surface acoustic wave (SAW) applications. The combination of electron-beam (e-beam) lithography and lift-off process is shown to be effective in fabricating well-defined IDT finger patterns with a line width below 100 nm with a good yield. Working with insulating piezoelectric substrates brings about e-beam deflection. It is also shown how a very thin organic anti-static layer works well in avoiding this charge accumulation during e-beam lithography on the resist layer. However, the use of this anti-static layer is not required with the insulating piezoelectric layer laying on a semiconducting substrate such as highly doped silicon. The effect of the e-beam dose on a number of different layers (of insulating, insulating on semiconducting, semiconducting, and conductive natures) is provided. Among other advantages, the use of reduced e-beam doses increases the manufacturing time. The principal aim of this work is to explain the interrelation among e-beam close, substrate nature and IDI structure. An extensive study of the e-beam lithography of long IDT-fingers is provided, in a wide variety of electrode widths, electrode numbers and electrode pitches. It is worthy to highlight that this work shows the influence of the e-beam dose on five substrates of different conductive nature. (C) 2011 Elsevier B.V. All rights reserved.
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Palabras clave

5 ghzAlnAnti-static layerCharge accumulationE-beam lithographyInsulating layersSurface-acoustic-wave

Indicios de calidad

Impacto bibliométrico. Análisis de la aportación y canal de difusión

El trabajo ha sido publicado en la revista JOURNAL OF MATERIALS PROCESSING TECHNOLOGY debido a la progresión y el buen impacto que ha alcanzado en los últimos años, según la agencia WoS (JCR), se ha convertido en una referencia en su campo. En el año de publicación del trabajo, 2012, se encontraba en la posición 66/240, consiguiendo con ello situarse como revista Q1 (Primer Cuartil), en la categoría Materials Science, Multidisciplinary.

Independientemente del impacto esperado determinado por el canal de difusión, es importante destacar el impacto real observado de la propia aportación.

Según las diferentes agencias de indexación, el número de citas acumuladas por esta publicación hasta la fecha 2026-04-27:

  • Google Scholar: 13
  • WoS: 12
  • Scopus: 12
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Impacto y visibilidad social

Es fundamental presentar evidencias que respalden la plena alineación con los principios y directrices institucionales en torno a la Ciencia Abierta y la Conservación y Difusión del Patrimonio Intelectual. Un claro ejemplo de ello es:

  • Asignación de un Handle/URN como identificador dentro del Depósito en el Repositorio Institucional: https://oa.upm.es/11871/

Como resultado de la publicación del trabajo en el repositorio institucional, se han obtenido datos estadísticos de uso que reflejan su impacto. En términos de difusión, podemos afirmar que, hasta la fecha

  • Visualizaciones: 455
  • Descargas: 1,040
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Análisis de liderazgo de los autores institucionales

Existe un liderazgo significativo ya que algunos de los autores pertenecientes a la institución aparecen como primer o último firmante, se puede apreciar en el detalle: Primer Autor (Iriarte, G. F.) y Último Autor (CALLE GOMEZ, FERNANDO).

el autor responsable de establecer las labores de correspondencia ha sido Iriarte, G. F..

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Reconocimientos ligados al ítem

GFI acknowledges the Spanish Ministerio de Ciencia e Innovacion (MICINN) contract W050920B0. This work is supported by MICINN projects TEC2007-67065/MIC and TEC2010-19511.
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