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Ulloa, J. M.Autor (correspondencia)Hierro, A.Autor o Coautor

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9 de junio de 2019
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Analysis of the modified optical properties and band structure of GaAs1-xSbx-capped InAs/GaAs quantum dots

Publicado en: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 112 (7): 74311- - 2012-10-01 112(7), DOI: 10.1063/1.4755794

Autores:

Ulloa, J M; Llorens, J M; del Moral, M; Bozkurt, M; Koenraad, P M; Hierro, A
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Afiliaciones

Eindhoven Univ Technol, Dept Appl Phys, NL-5600 MB Eindhoven, Netherlands - Autor o Coautor
PTM, IMM Inst Microelect Madrid CNM CSIC, E-28760 Madrid, Spain - Autor o Coautor
Univ Politecn Madrid, Inst Syst Based Optoelect & Microtechnol ISOM, E-28040 Madrid, Spain - Autor o Coautor
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Resumen

The origin of the modified optical properties of InAs/GaAs quantum dots (QD) capped with a thin GaAs1-xSbx layer is analyzed in terms of the band structure. To do so, the size, shape, and composition of the QDs and capping layer are determined through cross-sectional scanning tunnelling microscopy and used as input parameters in an 8 x 8 k.p model. As the Sb content is increased, there are two competing effects determining carrier confinement and the oscillator strength: the increased QD height and reduced strain on one side and the reduced QD-capping layer valence band offset on the other. Nevertheless, the observed evolution of the photoluminescence (PL) intensity with Sb cannot be explained in terms of the oscillator strength between ground states, which decreases dramatically for Sb > 16%, where the band alignment becomes type II with the hole wavefunction localized outside the QD in the capping layer. Contrary to this behaviour, the PL intensity in the type II QDs is similar (at 15K) or even larger (at room temperature) than in the type 1 Sb-free reference QDs. This indicates that the PL efficiency is dominated by carrier dynamics, which is altered by the presence of the GaAsSb capping layer. In particular, the presence of Sb leads to an enhanced PL thermal stability. From the comparison between the activation energies for thermal quenching of the PL and the modelled band structure, the main carrier escape mechanisms are suggested. In standard GaAs-capped QDs, escape of both electrons and holes to the GaAs barrier is the main PL quenching mechanism. For small-moderate Sb (<16%) for which the type I band alignment is kept, electrons escape to the GaAs barrier and holes escape to the GaAsSb capping layer, where redistribution and retraping processes can take place. For Sb contents above 16% (type-II region), holes remain in the GaAsSb layer and the escape of electrons from the QD to the GaAs barrier is most likely the dominant PL quenching mechanism. This means that electrons and holes behave dynamically as uncorrelated pairs in both the type-I and type-II structures. (C) 2012 American Institute of Physics. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4755794]
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Palabras clave

Electronic-structureGaassbLayerScanning-tunneling-microscopyWavelength light-emission

Indicios de calidad

Impacto bibliométrico. Análisis de la aportación y canal de difusión

El trabajo ha sido publicado en la revista JOURNAL OF APPLIED PHYSICS debido a la progresión y el buen impacto que ha alcanzado en los últimos años, según la agencia WoS (JCR), se ha convertido en una referencia en su campo. En el año de publicación del trabajo, 2012, se encontraba en la posición 32/128, consiguiendo con ello situarse como revista Q1 (Primer Cuartil), en la categoría Physics, Applied.

Desde una perspectiva relativa, y atendiendo al indicador del impacto normalizado calculado a partir de las Citas Mundiales de Scopus Elsevier, arroja un valor para la media Ponderada del Impacto Normalizado de la agencia Scopus: 1.11, lo que indica que, de manera comparada con trabajos en la misma disciplina y en el mismo año de publicación, lo ubica como trabajo citado por encima de la media. (fuente consultada: ESI 13 Nov 2025)

De manera concreta y atendiendo a las diferentes agencias de indexación, el trabajo ha acumulado, hasta la fecha 2026-04-25, el siguiente número de citas:

  • WoS: 35
  • Scopus: 35
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Impacto y visibilidad social

Desde la dimensión de Influencia o adopción social, y tomando como base las métricas asociadas a las menciones e interacciones proporcionadas por agencias especializadas en el cálculo de las denominadas “Métricas Alternativas o Sociales”, podemos destacar a fecha 2026-04-25:

  • La utilización de esta aportación en marcadores, bifurcaciones de código, añadidos a listas de favoritos para una lectura recurrente, así como visualizaciones generales, indica que alguien está usando la publicación como base de su trabajo actual. Esto puede ser un indicador destacado de futuras citas más formales y académicas. Tal afirmación es avalada por el resultado del indicador “Capture” que arroja un total de: 31 (PlumX).

Es fundamental presentar evidencias que respalden la plena alineación con los principios y directrices institucionales en torno a la Ciencia Abierta y la Conservación y Difusión del Patrimonio Intelectual. Un claro ejemplo de ello es:

  • Asignación de un Handle/URN como identificador dentro del Depósito en el Repositorio Institucional: https://oa.upm.es/16351/

Como resultado de la publicación del trabajo en el repositorio institucional, se han obtenido datos estadísticos de uso que reflejan su impacto. En términos de difusión, podemos afirmar que, hasta la fecha

  • Visualizaciones: 538
  • Descargas: 690
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Análisis de liderazgo de los autores institucionales

Este trabajo se ha realizado con colaboración internacional, concretamente con investigadores de: Netherlands.

Existe un liderazgo significativo ya que algunos de los autores pertenecientes a la institución aparecen como primer o último firmante, se puede apreciar en el detalle: Primer Autor (ULLOA HERRERO, JOSE MARIA) y Último Autor (HIERRO CANO, ADRIAN).

el autor responsable de establecer las labores de correspondencia ha sido ULLOA HERRERO, JOSE MARIA.

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Reconocimientos ligados al ítem

This work has been supported by the Comunidad de Madrid through the project Q&C Light (P2009/ESP-1503) and Nanophotonic devices for optical communications (CCG10-UPM/TIC-4932), by the European Union through the SANDiE Network of Excellence (Contract No. NMP4-CT-2004-500101), by STW-VICI Grant No. 6631 and by contracts TEC2008-06756-C03-01 and TEC2011-29120-C05-04. J. M. Ulloa would like to thank the support of the Spanish Ministerio de Ciencia e Innovacion through the Raman y Cajal program.
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