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Investigadores/as Institucionales

Fernando-Saavedra, A.Autor (correspondencia)Sanchez-Garcia, M. A.Autor o CoautorCalleja, E.Autor o Coautor

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14 de octubre de 2019
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Artículo
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Ordered arrays of defect-free GaN nanocolumns with very narrow excitonic emission line width

Publicado en: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 525 (UNSP 125189): 125189- - 2019-11-01 525(UNSP 125189), DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125189

Autores:

Fernando-Saavedra, A; Albert, S; Bengoechea-Encabo, A; Lopez-Romero, D; Niehle, M; Metzner, S; Schmidt, G; Bertram, F; Sanchez-Garcia, M A; Trampert, A; Christen, J; Calleja, E
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Afiliaciones

Leibniz Inst Forsch Verbund, Paul Drude Inst Festkorperforsch, Hausvogteipl 5-7, D-10117 Berlin, Germany - Autor o Coautor
Otto von Guericice Univ Magdeburg, Inst Phys, Magdeburg, Germany - Autor o Coautor
Univ Politecn, ISOM Dept Ing Elect, ETSIT, Madrid 28040, Spain - Autor o Coautor
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Resumen

Ordered arrays of very high quality, defect-free GaN nanocolumns were achieved by selective area growth following a two step process involving nanopillar dry etching (top down) and overgrowth by Molecular Beam Epitaxy (bottom up). A study by transmission electron microscopy, over more than 50 individual nanocolumns, confirmed the absence of extended defects, such as dislocations, polarity inversion domain boundaries and stacking faults. Low temperature (10 K) photoluminescence spectrum is dominated by a donor-bound exciton emission line at 3.472 eV with a line width of 0.5 meV. In addition, a distinct emission line from the free-exciton A is observed at 3.479 eV. No traces of emission lines, either at 2.3 eV (Yellow Band); 3.45 eV (also labeled as UX line and recently linked to polarity inversion domain boundaries); or 3.42 eV (stacking faults) were observed.
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Palabras clave

A1. etchingA1. optical microscopyA3. molecular beam epitaxyB1. nitridesEtchingMolecular beam epitaxyMorphologyNanowiresNitridesOptical microscopySelective-area growth

Indicios de calidad

Impacto bibliométrico. Análisis de la aportación y canal de difusión

El trabajo ha sido publicado en la revista JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH debido a la progresión y el buen impacto que ha alcanzado en los últimos años, según la agencia Scopus (SJR), se ha convertido en una referencia en su campo. En el año de publicación del trabajo, 2019, se encontraba en la posición , consiguiendo con ello situarse como revista Q2 (Segundo Cuartil), en la categoría Materials Chemistry. Destacable, igualmente, el hecho de que la Revista está posicionada en el Cuartil Q3 para la agencia WoS (JCR) en la categoría Crystallography.

Independientemente del impacto esperado determinado por el canal de difusión, es importante destacar el impacto real observado de la propia aportación.

Según las diferentes agencias de indexación, el número de citas acumuladas por esta publicación hasta la fecha 2026-04-25:

  • WoS: 7
  • Scopus: 8
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Impacto y visibilidad social

Desde la dimensión de Influencia o adopción social, y tomando como base las métricas asociadas a las menciones e interacciones proporcionadas por agencias especializadas en el cálculo de las denominadas “Métricas Alternativas o Sociales”, podemos destacar a fecha 2026-04-25:

  • El uso, desde el ámbito académico evidenciado por el indicador de la agencia Altmetric referido como agregaciones realizadas por el gestor bibliográfico personal Mendeley, nos da un total de: 4.
  • La utilización de esta aportación en marcadores, bifurcaciones de código, añadidos a listas de favoritos para una lectura recurrente, así como visualizaciones generales, indica que alguien está usando la publicación como base de su trabajo actual. Esto puede ser un indicador destacado de futuras citas más formales y académicas. Tal afirmación es avalada por el resultado del indicador “Capture” que arroja un total de: 4 (PlumX).

Con una intencionalidad más de divulgación y orientada a audiencias más generales podemos observar otras puntuaciones más globales como:

  • El Score total de Altmetric: 6.
  • El número de menciones en la red social X (antes Twitter): 4 (Altmetric).

Es fundamental presentar evidencias que respalden la plena alineación con los principios y directrices institucionales en torno a la Ciencia Abierta y la Conservación y Difusión del Patrimonio Intelectual. Un claro ejemplo de ello es:

  • Asignación de un Handle/URN como identificador dentro del Depósito en el Repositorio Institucional: https://oa.upm.es/85789/

Como resultado de la publicación del trabajo en el repositorio institucional, se han obtenido datos estadísticos de uso que reflejan su impacto. En términos de difusión, podemos afirmar que, hasta la fecha

  • Visualizaciones: 172
  • Descargas: 2
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Análisis de liderazgo de los autores institucionales

Este trabajo se ha realizado con colaboración internacional, concretamente con investigadores de: Germany.

Existe un liderazgo significativo ya que algunos de los autores pertenecientes a la institución aparecen como primer o último firmante, se puede apreciar en el detalle: Primer Autor (FERNANDO SAAVEDRA, AMALIA LUISA) y Último Autor (CALLEJA PARDO, ENRIQUE).

el autor responsable de establecer las labores de correspondencia ha sido FERNANDO SAAVEDRA, AMALIA LUISA.

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Objetivos del proyecto

Los objetivos perseguidos en esta aportación se centran en el desarrollo y caracterización de nanocolumnas de GaN de alta calidad. Se propone analizar la viabilidad del crecimiento selectivo mediante un proceso combinado de grabado por nanopilares y sobrecrecimiento por epitaxia de haz molecular. Se busca evaluar la ausencia de defectos extendidos, como dislocaciones, límites de inversión de polaridad y fallos de apilamiento, mediante microscopía electrónica de transmisión en más de 50 nanocolumnas individuales. Además, se pretende determinar las propiedades ópticas a baja temperatura (10 K) mediante espectroscopía de fotoluminiscencia, enfocándose en la emisión excitónica con líneas muy estrechas y la ausencia de emisiones relacionadas con defectos específicos.
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Resultados más relevantes

El estudio presenta resultados destacados sobre el crecimiento de nanocolumnas de GaN libres de defectos mediante un proceso combinado de grabado seco y epitaxia por haz molecular. En primer lugar, la microscopía electrónica de transmisión confirmó la ausencia de defectos extendidos en más de 50 nanocolumnas analizadas, incluyendo dislocaciones, límites de inversión de polaridad y fallos de apilamiento. En segundo lugar, el espectro de fotoluminiscencia a baja temperatura (10 K) mostró una línea de emisión excitónica ligada a donantes en 3.472 eV con un ancho de línea muy estrecho de 0.5 meV. Además, se detectó una línea de emisión clara del excitón libre A a 3.479 eV. Finalmente, no se observaron emisiones asociadas a bandas amarillas (2.3 eV), líneas UX (3.45 eV) ni fallos de apilamiento (3.42 eV).
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Reconocimientos ligados al ítem

The Spanish team wish to acknowledge partial financial support by the Spanish project MICINN MAT2015-65120-R. Furthermore, we thank the German Research Foundation (DFG) for financial support within the Research Instrumentation Program INST 272/148-1 and the Collaborative Research Center SFB 787 Semiconductor Nanophotonics: Materials, Models, Devices M. Niehle and A. Trampert acknowledge financial support from the State of Berlin and the European Regional Development Fund under contract number grant agreement No. 2016011843.
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