
Indexat a
Llicència i ús
Anàlisi d'autories institucional
Garcia-Linares Fontes, PabloAutor o coautorHernandez Martin, EstelaAutor o coautorSteer M.j.Autor o coautorSteer, M JAutor o coautorSteer M.Autor o coautorLopez Estrada, EstherAutor o coautorHernández EAutor o coautorLopez EAutor o coautorMarti A.Autor o coautorLuque AAutor o coautorInAs/AlGaAs quantum dot intermediate band solar cells with enlarged sub-bandgaps
Publicat a:Conference Record Of The Ieee Photovoltaic Specialists Conference. 652-656 - 2012-11-26 (), DOI: 10.1109/PVSC.2012.6317694
Autors: Ramiro, I; Antolin, E; Steer, M J; Linares, P G; Hernandez, E; Artacho, I; Lopez, E; Ben, T; Ripalda, J M; Molina, S I; Briones, F; Stanley, C R; Marti, A; Luque, A
Afiliacions
Resum
In the last decade several prototypes of intermediate band solar cells (IBSCs) have been manufactured. So far, most of these prototypes have been based on InAs/GaAs quantum dots (QDs) in order to implement the IB material. The key operation principles of the IB theory are two photon sub-bandgap (SBG) photocurrent, and output voltage preservation, and both have been experimentally demonstrated at low temperature. At room temperature (RT), however, thermal escape/relaxation between the conduction band (CB) and the IB prevents voltage preservation. To improve this situation, we have produced and characterized the first reported InAs/AlGaAs QD-based IBSCs. For an Al content of 25% in the host material, we have measured an activation energy of 361 meV for the thermal carrier escape. This energy is about 250 meV higher than the energies found in the literature for InAs/GaAs QD, and almost 140 meV higher than the activation energy obtained in our previous InAs/GaAs QD-IBSC prototypes including a specifically designed QD capping layer. This high value is responsible for the suppression of the SBG quantum efficiency under monochromatic illumination at around 220 K. We suggest that, if the energy split between the CB and the IB is large enough, activation energies as high as to suppress thermal carrier escape at room temperature (RT) can be achieved. In this respect, the InAs/AlGaAs system offers new possibilities to overcome some of the problems encountered in InAs/GaAs and opens the path for QD-IBSC devices capable of achieving high efficiency at RT. © 2012 IEEE.
Paraules clau
Indicis de qualitat
Impacte bibliomètric. Anàlisi de la contribució i canal de difusió
El treball ha estat publicat a la revista Conference Record Of The Ieee Photovoltaic Specialists Conference a causa de la seva progressió i el bon impacte que ha aconseguit en els últims anys, segons l'agència Scopus (SJR), s'ha convertit en una referència en el seu camp. A l'any de publicació del treball, 2012, es trobava a la posició , aconseguint així situar-se com a revista Q1 (Primer Cuartil), en la categoria Control and Systems Engineering.
Des d'una perspectiva relativa, i atenent a l'indicador de impacte normalitzat calculat a partir de les Citacions Mundials de Scopus Elsevier, proporciona un valor per a la mitjana Ponderada de l'Impacte Normalitzat de l'agència Scopus: 1.23, el que indica que, comparat amb treballs en la mateixa disciplina i en el mateix any de publicació, el situa com un treball citat per sobre de la mitjana. (font consultada: ESI 14 Nov 2024)
Aquesta informació es reforça amb altres indicadors del mateix tipus, que encara que dinàmics en el temps i dependents del conjunt de citacions mitjanes mundials en el moment del seu càlcul, coincideixen a posicionar en algun moment el treball, entre el 50% més citats dins de la seva temàtica:
- Field Citation Ratio (FCR) de la font Dimensions: 5.2 (font consultada: Dimensions Jul 2025)
Concretament, i atenent a les diferents agències d'indexació, aquest treball ha acumulat, fins a la data 2025-07-10, el següent nombre de cites:
- WoS: 8
- Scopus: 37
Impacte i visibilitat social
Anàlisi del lideratge dels autors institucionals
Aquest treball s'ha realitzat amb col·laboració internacional, concretament amb investigadors de: United Kingdom.
Hi ha un lideratge significatiu, ja que alguns dels autors pertanyents a la institució apareixen com a primer o últim signant, es pot apreciar en el detall: Primer Autor (Ramiro I) i Últim Autor (LUQUE LOPEZ, ANTONIO).
l'autor responsable d'establir les tasques de correspondència ha estat Ramiro I.