{rfName}
In

Indexat a

Llicència i ús

Citacions

45

Altmetrics

Anàlisi d'autories institucional

Garcia-Linares Fontes, PabloAutor o coautorHernandez Martin, EstelaAutor o coautorSteer M.j.Autor o coautorSteer, M JAutor o coautorSteer M.Autor o coautorLopez Estrada, EstherAutor o coautorHernández EAutor o coautorLopez EAutor o coautorMarti A.Autor o coautorLuque AAutor o coautor

Compartir

17 dejuny de 2019
Publicacions
>
Conferència publicada
No

InAs/AlGaAs quantum dot intermediate band solar cells with enlarged sub-bandgaps

Publicat a:Conference Record Of The Ieee Photovoltaic Specialists Conference. 652-656 - 2012-11-26 (), DOI: 10.1109/PVSC.2012.6317694

Autors: Ramiro, I; Antolin, E; Steer, M J; Linares, P G; Hernandez, E; Artacho, I; Lopez, E; Ben, T; Ripalda, J M; Molina, S I; Briones, F; Stanley, C R; Marti, A; Luque, A

Afiliacions

CNM CSIC, Inst Microelect Madrid, Madrid, Spain - Autor o coautor
IMN-Instituto de Micro y Nanotecnología (CNM-CSIC) - Autor o coautor
Instituto de Energia Solar - Autor o coautor
Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares. Universidad Politécnica de Madrid - Autor o coautor
Univ Cadiz, Fac Ciencias, Dept Ciencia Mat Ingn Met Quim Inorgan, Cadiz, Spain - Autor o coautor
Univ Glasgow, Sch Engn, Glasgow G12 8QQ, Lanark, Scotland - Autor o coautor
Univ Politecn Madrid, Inst Energia Solar, Madrid, Spain - Autor o coautor
Universidad de Cádiz - Autor o coautor
University of Glasgow - Autor o coautor
Veure més

Resum

In the last decade several prototypes of intermediate band solar cells (IBSCs) have been manufactured. So far, most of these prototypes have been based on InAs/GaAs quantum dots (QDs) in order to implement the IB material. The key operation principles of the IB theory are two photon sub-bandgap (SBG) photocurrent, and output voltage preservation, and both have been experimentally demonstrated at low temperature. At room temperature (RT), however, thermal escape/relaxation between the conduction band (CB) and the IB prevents voltage preservation. To improve this situation, we have produced and characterized the first reported InAs/AlGaAs QD-based IBSCs. For an Al content of 25% in the host material, we have measured an activation energy of 361 meV for the thermal carrier escape. This energy is about 250 meV higher than the energies found in the literature for InAs/GaAs QD, and almost 140 meV higher than the activation energy obtained in our previous InAs/GaAs QD-IBSC prototypes including a specifically designed QD capping layer. This high value is responsible for the suppression of the SBG quantum efficiency under monochromatic illumination at around 220 K. We suggest that, if the energy split between the CB and the IB is large enough, activation energies as high as to suppress thermal carrier escape at room temperature (RT) can be achieved. In this respect, the InAs/AlGaAs system offers new possibilities to overcome some of the problems encountered in InAs/GaAs and opens the path for QD-IBSC devices capable of achieving high efficiency at RT. © 2012 IEEE.

Paraules clau

Carrier escapeGallium arsenideIntermediate band solar cellsNovel conceptsPhotonic band gapPhotovoltaic cellsQuantum dotsStrainTemperature measurement

Indicis de qualitat

Impacte bibliomètric. Anàlisi de la contribució i canal de difusió

El treball ha estat publicat a la revista Conference Record Of The Ieee Photovoltaic Specialists Conference a causa de la seva progressió i el bon impacte que ha aconseguit en els últims anys, segons l'agència Scopus (SJR), s'ha convertit en una referència en el seu camp. A l'any de publicació del treball, 2012, es trobava a la posició , aconseguint així situar-se com a revista Q1 (Primer Cuartil), en la categoria Control and Systems Engineering.

Des d'una perspectiva relativa, i atenent a l'indicador de impacte normalitzat calculat a partir de les Citacions Mundials de Scopus Elsevier, proporciona un valor per a la mitjana Ponderada de l'Impacte Normalitzat de l'agència Scopus: 1.23, el que indica que, comparat amb treballs en la mateixa disciplina i en el mateix any de publicació, el situa com un treball citat per sobre de la mitjana. (font consultada: ESI 14 Nov 2024)

Aquesta informació es reforça amb altres indicadors del mateix tipus, que encara que dinàmics en el temps i dependents del conjunt de citacions mitjanes mundials en el moment del seu càlcul, coincideixen a posicionar en algun moment el treball, entre el 50% més citats dins de la seva temàtica:

  • Field Citation Ratio (FCR) de la font Dimensions: 5.19 (font consultada: Dimensions Jul 2025)

Concretament, i atenent a les diferents agències d'indexació, aquest treball ha acumulat, fins a la data 2025-07-27, el següent nombre de cites:

  • WoS: 8
  • Scopus: 37

Impacte i visibilitat social

Des de la dimensió d'influència o adopció social, i prenent com a base les mètriques associades a les mencions i interaccions proporcionades per agències especialitzades en el càlcul de les denominades "Mètriques Alternatives o Socials", podem destacar a data 2025-07-27:

  • L'ús d'aquesta aportació en marcadors, bifurcacions de codi, afegits a llistes de favorits per a una lectura recurrent, així com visualitzacions generals, indica que algú està fent servir la publicació com a base del seu treball actual. Això pot ser un indicador destacat de futures cites més formals i acadèmiques. Aquesta afirmació està avalada pel resultat de l'indicador "Capture", que aporta un total de: 39 (PlumX).

Anàlisi del lideratge dels autors institucionals

Aquest treball s'ha realitzat amb col·laboració internacional, concretament amb investigadors de: United Kingdom.

Hi ha un lideratge significatiu, ja que alguns dels autors pertanyents a la institució apareixen com a primer o últim signant, es pot apreciar en el detall: Primer Autor (Ramiro I) i Últim Autor (LUQUE LOPEZ, ANTONIO).

l'autor responsable d'establir les tasques de correspondència ha estat Ramiro I.