{rfName}
Ef

Indexat a

Llicència i ús

Icono OpenAccess

Citacions

134

Altmetrics

Anàlisi d'autories institucional

Romero, MfAutor (correspondència)Brana, AfAutor o coautorCalle, F.Autor o coautor

Compartir

5 dejuliol de 2020
Publicacions
>
Article
Green

Effects of N-2 plasma pretreatment on the SiN passivation of AlGaN/GaN HEMT

Publicat a: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 29 (3): 209-211 - 2008-03-01 29(3), DOI: 10.1109/LED.2008.915568

Autors:

Romero, M F; Jimenez, A; Sanchez, J Miguel; Brana, A F; Gonzalez-Posada, F; Cuerdo, R; Calle, F; Munoz, E
[+]

Afiliacions

Escuela Tecnica Superior de Ingenieros de Telecomunicacion, Madrid - Autor o coautor
Univ Alcala, Escuela Politecn, Dept Electron, Madrid 28805, Spain - Autor o coautor
Univ Politecn Madrid, Dept Ingn Electron, E-28040 Madrid, Spain - Autor o coautor
Univ Politecn Madrid, Escuela Tecn Super Ingenieros Telecommun, Inst Sistemas Optoelect & Microtecnol, E-28040 Madrid, Spain - Autor o coautor
Univ Politecn Madrid, ETSIT, ISOM, E-28040 Madrid, Spain - Autor o coautor
Veure més

Resum

The impact of in situ low-power N-2 plasma pretreatment, prior to silicon-nitride (SiN) deposition, was investigated in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors (HEMTs). These studies reveal that the use of N-2 plasma in HEMT passivation reduces current-collapse and gate-lag effects. Such treatment is also beneficial to improve gate leakage, and from RF measurements, no degradation of f(max) was observed. These beneficial effects of the N-2 plasma pretreatment seem to be due to a significant reduction in interface charge density, as shown in this letter using GaN MIS devices, where a decrease of 60% was observed.
[+]

Paraules clau

Algan/gan high-electron mobility transistors (hemts)Current collapseField-effect transistorsGan misGanhemtsPassivationPerformanceSilicon nitride (sin)

Indicis de qualitat

Impacte bibliomètric. Anàlisi de la contribució i canal de difusió

El treball ha estat publicat a la revista IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS a causa de la seva progressió i el bon impacte que ha aconseguit en els últims anys, segons l'agència WoS (JCR), s'ha convertit en una referència en el seu camp. A l'any de publicació del treball, 2008, es trobava a la posició 23/228, aconseguint així situar-se com a revista Q1 (Primer Cuartil), en la categoria Engineering, Electrical & Electronic.

Independentment de l'impacte esperat determinat pel canal de difusió, és important destacar l'impacte real observat de la pròpia aportació.

Segons les diferents agències d'indexació, el nombre de citacions acumulades per aquesta publicació fins a la data 2026-04-09:

  • Google Scholar: 55
  • WoS: 37
  • Scopus: 42
[+]

Impacte i visibilitat social

Des de la dimensió d'influència o adopció social, i prenent com a base les mètriques associades a les mencions i interaccions proporcionades per agències especialitzades en el càlcul de les denominades "Mètriques Alternatives o Socials", podem destacar a data 2026-04-09:

  • L'ús, des de l'àmbit acadèmic evidenciat per l'indicador de l'agència Altmetric referit com a agregacions realitzades pel gestor bibliogràfic personal Mendeley, ens dona un total de: 51.
  • L'ús d'aquesta aportació en marcadors, bifurcacions de codi, afegits a llistes de favorits per a una lectura recurrent, així com visualitzacions generals, indica que algú està fent servir la publicació com a base del seu treball actual. Això pot ser un indicador destacat de futures cites més formals i acadèmiques. Aquesta afirmació està avalada pel resultat de l'indicador "Capture", que aporta un total de: 51 (PlumX).

Amb una intenció més de divulgació i orientada a audiències més generals, podem observar altres puntuacions més globals com:

  • El Puntuació total de Altmetric: 3.

És fonamental presentar evidències que recolzin l'alineació plena amb els principis i directrius institucionals sobre Ciència Oberta i la Conservació i Difusió del Patrimoni Intel·lectual. Un clar exemple d'això és:

  • El treball s'ha enviat a una revista la política editorial de la qual permet la publicació en obert Open Access.
  • Assignació d'un Handle/URN com a identificador dins del Dipòsit en el Repositori Institucional: https://oa.upm.es/2020/

Com a resultat de la publicació del treball en el repositori institucional, s'han obtingut dades estadístiques d'ús que reflecteixen el seu impacte. En termes de difusió, podem afirmar que, fins a la data

  • Visualitzacions: 941
  • Descàrregues: 1,444
[+]

Anàlisi del lideratge dels autors institucionals

Hi ha un lideratge significatiu, ja que alguns dels autors pertanyents a la institució apareixen com a primer o últim signant, es pot apreciar en el detall: Primer Autor (ROMERO ROJO, FATIMA) i Últim Autor (Muñoz, E.).

l'autor responsable d'establir les tasques de correspondència ha estat ROMERO ROJO, FATIMA.

[+]