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Romero, MfAutor (correspondencia)Brana, AfAutor o CoautorCalle, F.Autor o Coautor

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5 de julio de 2020
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Artículo
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Effects of N-2 plasma pretreatment on the SiN passivation of AlGaN/GaN HEMT

Publicado en: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 29 (3): 209-211 - 2008-03-01 29(3), DOI: 10.1109/LED.2008.915568

Autores:

Romero, M F; Jimenez, A; Sanchez, J Miguel; Brana, A F; Gonzalez-Posada, F; Cuerdo, R; Calle, F; Munoz, E
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Afiliaciones

Escuela Tecnica Superior de Ingenieros de Telecomunicacion, Madrid - Autor o Coautor
Univ Alcala, Escuela Politecn, Dept Electron, Madrid 28805, Spain - Autor o Coautor
Univ Politecn Madrid, Dept Ingn Electron, E-28040 Madrid, Spain - Autor o Coautor
Univ Politecn Madrid, Escuela Tecn Super Ingenieros Telecommun, Inst Sistemas Optoelect & Microtecnol, E-28040 Madrid, Spain - Autor o Coautor
Univ Politecn Madrid, ETSIT, ISOM, E-28040 Madrid, Spain - Autor o Coautor
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Resumen

The impact of in situ low-power N-2 plasma pretreatment, prior to silicon-nitride (SiN) deposition, was investigated in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors (HEMTs). These studies reveal that the use of N-2 plasma in HEMT passivation reduces current-collapse and gate-lag effects. Such treatment is also beneficial to improve gate leakage, and from RF measurements, no degradation of f(max) was observed. These beneficial effects of the N-2 plasma pretreatment seem to be due to a significant reduction in interface charge density, as shown in this letter using GaN MIS devices, where a decrease of 60% was observed.
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Palabras clave

Algan/gan high-electron mobility transistors (hemts)Current collapseField-effect transistorsGan misGanhemtsPassivationPerformanceSilicon nitride (sin)

Indicios de calidad

Impacto bibliométrico. Análisis de la aportación y canal de difusión

El trabajo ha sido publicado en la revista IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS debido a la progresión y el buen impacto que ha alcanzado en los últimos años, según la agencia WoS (JCR), se ha convertido en una referencia en su campo. En el año de publicación del trabajo, 2008, se encontraba en la posición 23/228, consiguiendo con ello situarse como revista Q1 (Primer Cuartil), en la categoría Engineering, Electrical & Electronic.

Independientemente del impacto esperado determinado por el canal de difusión, es importante destacar el impacto real observado de la propia aportación.

Según las diferentes agencias de indexación, el número de citas acumuladas por esta publicación hasta la fecha 2026-04-09:

  • Google Scholar: 55
  • WoS: 37
  • Scopus: 42
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Impacto y visibilidad social

Desde la dimensión de Influencia o adopción social, y tomando como base las métricas asociadas a las menciones e interacciones proporcionadas por agencias especializadas en el cálculo de las denominadas “Métricas Alternativas o Sociales”, podemos destacar a fecha 2026-04-09:

  • El uso, desde el ámbito académico evidenciado por el indicador de la agencia Altmetric referido como agregaciones realizadas por el gestor bibliográfico personal Mendeley, nos da un total de: 51.
  • La utilización de esta aportación en marcadores, bifurcaciones de código, añadidos a listas de favoritos para una lectura recurrente, así como visualizaciones generales, indica que alguien está usando la publicación como base de su trabajo actual. Esto puede ser un indicador destacado de futuras citas más formales y académicas. Tal afirmación es avalada por el resultado del indicador “Capture” que arroja un total de: 51 (PlumX).

Con una intencionalidad más de divulgación y orientada a audiencias más generales podemos observar otras puntuaciones más globales como:

  • El Score total de Altmetric: 3.

Es fundamental presentar evidencias que respalden la plena alineación con los principios y directrices institucionales en torno a la Ciencia Abierta y la Conservación y Difusión del Patrimonio Intelectual. Un claro ejemplo de ello es:

  • El trabajo se ha enviado a una revista cuya política editorial permite la publicación en abierto Open Access.
  • Asignación de un Handle/URN como identificador dentro del Depósito en el Repositorio Institucional: https://oa.upm.es/2020/

Como resultado de la publicación del trabajo en el repositorio institucional, se han obtenido datos estadísticos de uso que reflejan su impacto. En términos de difusión, podemos afirmar que, hasta la fecha

  • Visualizaciones: 941
  • Descargas: 1,444
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Análisis de liderazgo de los autores institucionales

Existe un liderazgo significativo ya que algunos de los autores pertenecientes a la institución aparecen como primer o último firmante, se puede apreciar en el detalle: Primer Autor (ROMERO ROJO, FATIMA) y Último Autor (Muñoz, E.).

el autor responsable de establecer las labores de correspondencia ha sido ROMERO ROJO, FATIMA.

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