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Fernando-Saavedra AAutor (correspondencia)Albert SAutor o CoautorBengoechea-Encabo AAutor o CoautorSánchez-García MaAutor o CoautorCalleja EAutor o Coautor

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12 de junio de 2023
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Artículo
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Growth of non-polar m-plane GaN pseudo-substrates by Molecular beam epitaxy

Publicado en: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 617 127272- - 2023-09-01 617(), DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2023.127272

Autores:

Fernando-Saavedra, Amalia; Albert, Steven; Bengoechea-Encabo, Ana; Trampert, Achim; Xie, Mengyao; Sanchez-Garcia, Miguel A; Calleja, Enrique
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Afiliaciones

Paul Drude Inst Festkoperelektron, Hausvogteipl 5-7, D-10117 Berlin, Germany - Autor o Coautor
Paul Drude Institut fur Festkorperelektronik - Autor o Coautor
Tianrui Semicond Mat Suzhou Ltd Co, Third Zone Datong Rd 20, Suzhou 215151, Peoples R China - Autor o Coautor
Tianrui Semiconductor Materials (Suzhou) Ltd.co. - Autor o Coautor
Univ Politecn Madrid, Dept Ingn Elect, ETSI Telecomunicac, Ave Complutense 30,Ciudad Univ, Madrid 28040, Spain - Autor o Coautor
Univ Politecn Madrid, ISOM, Ave Complutense 30,Ciudad Univ, Madrid 28040, Spain - Autor o Coautor
Universidad Politécnica de Madrid - Autor o Coautor
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Resumen

Non-polar m-plane GaN films were grown by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy on γ-LiAlO2 (1 0 0) substrates by a controlled coalescence of GaN nanocolumns obtained by a two-step process including a top-down nanopillars etching from a GaN buffer and a subsequent bottom-up overgrowth. Transmission electron microscopy data show a significant reduction of extended defects density in the coalesced film as compared to the initial GaN buffer, most likely due to a filter effect by the regrowth process on the nanopillars inclined walls. Low temperature photoluminescence spectra back this reduction by a strong intensity decrease of the stacking faults fingerprint emission peaks, while a very intense donor-bound excitonic emission at 3.472 eV, 2.8 meV wide, becomes dominant.
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Palabras clave

a3b1b2etchinglayersmolecular beam epitaxynanocolumnsnitridesselective epitaxysemiconducting iii -v materialsA1A1.etchingA3.molecular beam epitaxyA3.selective epitaxyB1.nitridesB2.semiconducting iii-v materialsSelective-area growth

Indicios de calidad

Impacto bibliométrico. Análisis de la aportación y canal de difusión

El trabajo ha sido publicado en la revista JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH debido a la progresión y el buen impacto que ha alcanzado en los últimos años, según la agencia Scopus (SJR), se ha convertido en una referencia en su campo. En el año de publicación del trabajo, 2023, se encontraba en la posición , consiguiendo con ello situarse como revista Q2 (Segundo Cuartil), en la categoría Inorganic Chemistry. Destacable, igualmente, el hecho de que la Revista está posicionada en el Cuartil Q3 para la agencia WoS (JCR) en la categoría Crystallography.

Desde una perspectiva relativa, y atendiendo al indicador del impacto normalizado calculado a partir de las Citas Mundiales proporcionadas por WoS (ESI, Clarivate), arroja un valor para la normalización de citas relativas a la tasa de citación esperada de: 1.29. Esto indica que, de manera comparada con trabajos en la misma disciplina y en el mismo año de publicación, lo ubica como trabajo citado por encima de la media. (fuente consultada: ESI 13 Nov 2025)

De manera concreta y atendiendo a las diferentes agencias de indexación, el trabajo ha acumulado, hasta la fecha 2026-04-25, el siguiente número de citas:

  • WoS: 4
  • Scopus: 4
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Impacto y visibilidad social

Desde la dimensión de Influencia o adopción social, y tomando como base las métricas asociadas a las menciones e interacciones proporcionadas por agencias especializadas en el cálculo de las denominadas “Métricas Alternativas o Sociales”, podemos destacar a fecha 2026-04-25:

  • La utilización de esta aportación en marcadores, bifurcaciones de código, añadidos a listas de favoritos para una lectura recurrente, así como visualizaciones generales, indica que alguien está usando la publicación como base de su trabajo actual. Esto puede ser un indicador destacado de futuras citas más formales y académicas. Tal afirmación es avalada por el resultado del indicador “Capture” que arroja un total de: 2 (PlumX).

Es fundamental presentar evidencias que respalden la plena alineación con los principios y directrices institucionales en torno a la Ciencia Abierta y la Conservación y Difusión del Patrimonio Intelectual. Un claro ejemplo de ello es:

  • Asignación de un Handle/URN como identificador dentro del Depósito en el Repositorio Institucional: https://oa.upm.es/85781/

Como resultado de la publicación del trabajo en el repositorio institucional, se han obtenido datos estadísticos de uso que reflejan su impacto. En términos de difusión, podemos afirmar que, hasta la fecha

  • Visualizaciones: 158
  • Descargas: 86
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Análisis de liderazgo de los autores institucionales

Este trabajo se ha realizado con colaboración internacional, concretamente con investigadores de: China; Germany.

Existe un liderazgo significativo ya que algunos de los autores pertenecientes a la institución aparecen como primer o último firmante, se puede apreciar en el detalle: Primer Autor (FERNANDO SAAVEDRA, AMALIA LUISA) y Último Autor (CALLEJA PARDO, ENRIQUE).

el autor responsable de establecer las labores de correspondencia ha sido FERNANDO SAAVEDRA, AMALIA LUISA.

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Objetivos del proyecto

La aportación persigue los siguientes objetivos: analizar el crecimiento de películas de GaN no polar m-plane mediante epitaxia por haz molecular asistida por plasma sobre sustratos γ-LiAlO2 (1 0 0); caracterizar el proceso de coalescencia controlada de nanocolumnas de GaN mediante un método de dos pasos que incluye grabado de nanopilares y sobrecrecimiento; evaluar la reducción de la densidad de defectos extendidos en la película coalescida mediante microscopía electrónica de transmisión; determinar el efecto filtro del proceso de re-crecimiento en las paredes inclinadas de los nanopilares; y correlacionar los resultados estructurales con espectroscopía de fotoluminiscencia a baja temperatura para confirmar la disminución de defectos y la intensidad de la emisión excitónica ligada a donadores.
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Resultados más relevantes

Los resultados más relevantes del estudio incluyen: la obtención de películas de GaN no polar m-plane mediante epitaxia por haz molecular asistida por plasma sobre sustratos γ-LiAlO2 (1 0 0) mediante un proceso de coalescencia controlada de nanocolumnas de GaN; la reducción significativa de la densidad de defectos extendidos en la película coalescida en comparación con el buffer inicial, evidenciada por microscopía electrónica de transmisión; la confirmación de esta reducción a través de espectros de fotoluminiscencia a baja temperatura que muestran una marcada disminución de los picos de emisión asociados a fallas de apilamiento; y la dominancia de una intensa emisión excitónica ligada a donantes a 3.472 eV con un ancho de 2.8 meV.
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