{rfName}
Re

Indexado en

Citaciones

11

Altmetrics

Investigadores/as Institucionales

Martin PAutor o CoautorFernández Palacios, PabloAutor o CoautorDominguez MAutor o CoautorFernández-Palacios PAutor o CoautorLombardero IAutor o CoautorSanchez-Perez CAutor o CoautorGarcia IAutor o CoautorAlgora CAutor o CoautorGabás MAutor (correspondencia)

Compartir

6 de noviembre de 2023
Publicaciones
>
Artículo
No

Refractive indices and extinction coefficients of p-type doped Germanium wafers for photovoltaic and thermophotovoltaic devices

Publicado en: SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS. 264 112612- - 2024-01-01 264(), DOI: 10.1016/j.solmat.2023.112612

Autores:

Blanco, E; Martín, P; Domínguez, M; Fernández-Palacios, P; Lombardero, I; Sanchez-Perez, C; García, I; Algora, C; Gabás, M
[+]

Afiliaciones

MN8 Energy, Pozuelo De Alarcon 28224, Madrid, Spain - Autor o Coautor
Univ Cadiz, Dept Fis Mat Condensada, E-11510 Cadiz, Spain - Autor o Coautor
Univ Cadiz, IMEYMAT Inst Res Electron Microscopy & Mat, E-11510 Cadiz, Spain - Autor o Coautor
Univ Politecn Madrid, Inst Energia Solar, Madrid 28040, Spain - Autor o Coautor
Universidad de Cádiz - Autor o Coautor
Universidad Politécnica de Madrid - Autor o Coautor
Ver más

Resumen

Our work is primarily driven by the absence of optical parameters for p-type Ge wafers, adaptable to any specific doping value, and, at the same time, able to cover any application from infrared to ultraviolet regime. To address this, we have determined the complex refractive indices of p-type commercial Ge wafers through a wide spectral range (200–25000 nm) employing spectroscopic ellipsometry and transmittance measurements. The doping levels in these wafers vary between 1015 and 1018 cm−3, which are most commonly used in photovoltaic, thermophotovoltaic and optoelectronic applications. Our data fitting procedure resulted in a dielectric function that successfully reproduces not only the critical points associated with interband transitions above the bandgap, but also absorption features below the bandgap connected to intraband processes. Consequently, we obtained the complex refraction indices of these Ge wafers as a function of dopant concentration, and these have been corroborated through experimental reflectance and transmittance measurements. Additionally, we achieved a successful validation of these refractive indices by simulating the external quantum efficiency of Ge single-junction solar cell with two different thickness fabricated on a Ge wafer with a different doping level than those analyzed in this study.
[+]

Palabras clave

complex refractive indexge solar cellsgrowthlightsolar cell modellingspectroscopic ellipsometrythermophotovoltaicsComplex refractive indexGe solar cellsGe wafersGrapheneSolar cell modellingSpectroscopic ellipsometryThermophotovoltaics

Indicios de calidad

Impacto bibliométrico. Análisis de la aportación y canal de difusión

El trabajo ha sido publicado en la revista SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS debido a la progresión y el buen impacto que ha alcanzado en los últimos años, según la agencia WoS (JCR), se ha convertido en una referencia en su campo. En el año de publicación del trabajo, 2024 aún no existen indicios calculados, pero en 2023, se encontraba en la posición 36/187, consiguiendo con ello situarse como revista Q1 (Primer Cuartil), en la categoría Physics, Applied.

Independientemente del impacto esperado determinado por el canal de difusión, es importante destacar el impacto real observado de la propia aportación.

Según las diferentes agencias de indexación, el número de citas acumuladas por esta publicación hasta la fecha 2026-04-24:

  • WoS: 6
  • Scopus: 5
[+]

Impacto y visibilidad social

Desde la dimensión de Influencia o adopción social, y tomando como base las métricas asociadas a las menciones e interacciones proporcionadas por agencias especializadas en el cálculo de las denominadas “Métricas Alternativas o Sociales”, podemos destacar a fecha 2026-04-24:

  • El uso, desde el ámbito académico evidenciado por el indicador de la agencia Altmetric referido como agregaciones realizadas por el gestor bibliográfico personal Mendeley, nos da un total de: 15.
  • La utilización de esta aportación en marcadores, bifurcaciones de código, añadidos a listas de favoritos para una lectura recurrente, así como visualizaciones generales, indica que alguien está usando la publicación como base de su trabajo actual. Esto puede ser un indicador destacado de futuras citas más formales y académicas. Tal afirmación es avalada por el resultado del indicador “Capture” que arroja un total de: 15 (PlumX).

Con una intencionalidad más de divulgación y orientada a audiencias más generales podemos observar otras puntuaciones más globales como:

  • El Score total de Altmetric: 1.
  • El número de menciones en la red social X (antes Twitter): 1 (Altmetric).

Es fundamental presentar evidencias que respalden la plena alineación con los principios y directrices institucionales en torno a la Ciencia Abierta y la Conservación y Difusión del Patrimonio Intelectual. Un claro ejemplo de ello es:

  • Asignación de un Handle/URN como identificador dentro del Depósito en el Repositorio Institucional: https://oa.upm.es/91352/

Como resultado de la publicación del trabajo en el repositorio institucional, se han obtenido datos estadísticos de uso que reflejan su impacto. En términos de difusión, podemos afirmar que, hasta la fecha

  • Visualizaciones: 95
  • Descargas: 17
[+]

Análisis de liderazgo de los autores institucionales

Existe un liderazgo significativo ya que algunos de los autores pertenecientes a la institución aparecen como primer o último firmante, se puede apreciar en el detalle: Último Autor (GABAS PEREZ, MARIA MERCEDES).

el autor responsable de establecer las labores de correspondencia ha sido GABAS PEREZ, MARIA MERCEDES.

[+]