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Licencia y uso
Grant support
This work was supported by European Research Council (ERC) through European Union's Horizon Europe Research and Innovation Program under Grant 101054098.
Análisis de autorías institucional
Herranz, A De GraciaAutor o CoautorLopez-Vallejo, MAutor o CoautorDifferential Phase Change Memory (PCM) Cell for Drift-Compensated In-Memory Computing
Publicado en:Ieee Transactions On Electron Devices. 71 (12): 7447-7453 - 2024-12-01 71(12), DOI: 10.1109/TED.2024.3480898
Autores: Pistolesi, L; Ravelli, L; Glukhov, A; Herranz, A de Gracia; Herranz, AD; Lopez-Vallejo, M; Carissimi, M; Pasotti, M; Rolandi, P L; Rolandi, PL; Redaelli, A; Martin, I Munoz; Martin, IM; Bianchi, S; Bonfanti, A; Ielmini, D
Afiliaciones
Resumen
Phase change memory (PCM) is a scalable, reliable, and robust technology for embedded and stand-alone memory device. PCM has also been extensively demonstrated for analog in-memory computing (IMC), which allows energy-efficient acceleration of AI workloads. High-temperature data retention requirements in PCM devices are met by Ge-rich GeSbTe (GST), which allows to satisfy consumer-and automotive-grade reliability specifications. However, Ge-rich GST suffers from set state drift, which affects the stability of the multilevel cell (MLC), hence the accuracy of IMC. This work presents: 1) a novel multilevel programming algorithm from weak reset state to prevent conductance instabilities; 2) a drift compensation scheme through a differential weight approach, validated on matrix-vector multiplication (MVM) after high-temperature annealing; and 3) a detailed study of the impact of PCM variability and weight quantization on hardware implementation of neural networks.
Palabras clave
Indicios de calidad
Impacto bibliométrico. Análisis de la aportación y canal de difusión
El trabajo ha sido publicado en la revista Ieee Transactions On Electron Devices debido a la progresión y el buen impacto que ha alcanzado en los últimos años, según la agencia WoS (JCR), se ha convertido en una referencia en su campo. En el año de publicación del trabajo, 2024 aún no existen indicios calculados, pero en 2023, se encontraba en la posición 71/187, consiguiendo con ello situarse como revista Q2 (Segundo Cuartil), en la categoría Physics, Applied. Destacable, igualmente, el hecho de que la Revista está posicionada en el Cuartil Q2 para la agencia Scopus (SJR) en la categoría Electronic, Optical and Magnetic Materials.
2025-07-24:
- Scopus: 1
Impacto y visibilidad social
Análisis de liderazgo de los autores institucionales
Este trabajo se ha realizado con colaboración internacional, concretamente con investigadores de: Italy.