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Fernandez Gonzalez, Alvaro De GuzmanAutor o CoautorUlloa, J. M.Autor o CoautorHierro, A.Autor o Coautor

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9 de junio de 2019
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Optimization of InGaAsN(Sb)/GaAs quantum dots for optical emission at 1.55 mu m with low optical degradation

Publicado en: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 323 (1): 215-218 - 2011-05-15 323(1), DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.12.045

Autores:

Milla, M J; Guzman, A; Gargallo-Caballero, R; Ulloa, J M; Hierro, A
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Afiliaciones

ETSI Telecomunicac, ISOM, Madrid 28040, Spain - Autor o Coautor

Resumen

Low optical degradation in GaInAsN(Sb)/GaAs quantum dots (QDs) p-i-n structures emitting up to 1.55 mu m is presented in this paper. We obtain emission at different energies by means of varying N content from 1 to 4%. The samples show a low photoluminescence (PL) intensity degradation of only 1 order of magnitude when they are compared with pure InGaAs QD structures, even for an emission wavelength as large as 1.55 mu m. The optimization studies of these structures for emission at 1.55 mu m are reported in this work. High surface density and homogeneity in the QD layers are achieved for 50% In content by rapid decrease in the growth temperature after the formation of the nanostructures. Besides, the effect of N and Sb incorporation in the redshift and PL intensity of the samples is studied by postgrowth rapid thermal annealing treatments. As a general conclusion, we observe that the addition of Sb to QD with low N mole fraction is more efficient to reach 1.55 pm and high PL intensity than using high N incorporation in the QD. Also, the growth temperature is determined to be an important parameter to obtain good emission characteristics. Finally, we report room temperature PL emission of InGaAsN(Sb)/GaAs at 1.4 mu m. (C) 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.
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Palabras clave

Crystal morphologyGaasGrowthLight emitting diodesMolecular beam epitaxyMolecular-beam epitaxyN incorporationNanostructuresOperationQuantum dotsSemiconducting iii-v materialsSemiconducting iiiv materialsTemperatureWells

Indicios de calidad

Impacto bibliométrico. Análisis de la aportación y canal de difusión

El trabajo ha sido publicado en la revista JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH debido a la progresión y el buen impacto que ha alcanzado en los últimos años, según la agencia Scopus (SJR), se ha convertido en una referencia en su campo. En el año de publicación del trabajo, 2011, se encontraba en la posición , consiguiendo con ello situarse como revista Q1 (Primer Cuartil), en la categoría Materials Chemistry.

Independientemente del impacto esperado determinado por el canal de difusión, es importante destacar el impacto real observado de la propia aportación.

Según las diferentes agencias de indexación, el número de citas acumuladas por esta publicación hasta la fecha 2026-04-25:

  • WoS: 11
  • Scopus: 10
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Impacto y visibilidad social

Desde la dimensión de Influencia o adopción social, y tomando como base las métricas asociadas a las menciones e interacciones proporcionadas por agencias especializadas en el cálculo de las denominadas “Métricas Alternativas o Sociales”, podemos destacar a fecha 2026-04-25:

  • La utilización de esta aportación en marcadores, bifurcaciones de código, añadidos a listas de favoritos para una lectura recurrente, así como visualizaciones generales, indica que alguien está usando la publicación como base de su trabajo actual. Esto puede ser un indicador destacado de futuras citas más formales y académicas. Tal afirmación es avalada por el resultado del indicador “Capture” que arroja un total de: 11 (PlumX).

Es fundamental presentar evidencias que respalden la plena alineación con los principios y directrices institucionales en torno a la Ciencia Abierta y la Conservación y Difusión del Patrimonio Intelectual. Un claro ejemplo de ello es:

  • Asignación de un Handle/URN como identificador dentro del Depósito en el Repositorio Institucional: https://oa.upm.es/11870/

Como resultado de la publicación del trabajo en el repositorio institucional, se han obtenido datos estadísticos de uso que reflejan su impacto. En términos de difusión, podemos afirmar que, hasta la fecha

  • Visualizaciones: 417
  • Descargas: 372
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Análisis de liderazgo de los autores institucionales

Existe un liderazgo significativo ya que algunos de los autores pertenecientes a la institución aparecen como primer o último firmante, se puede apreciar en el detalle: Primer Autor (Milla, M. J.) y Último Autor (HIERRO CANO, ADRIAN).

el autor responsable de establecer las labores de correspondencia ha sido Milla, M. J..

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