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Garcia, GregorioAutor (correspondencia)Palacios, PabloAutor o CoautorWahnon, PerlaAutor o Coautor

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9 de junio de 2019
Publicaciones
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Artículo
Sí

First principle study of V-implantation in highly-doped silicon materials

Publicado en: COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE. 136 207-215 - 2017-08-01 136(), DOI: 10.1016/j.commatsci.2017.05.005

Autores:

García, G; Casanova-Páez, M; Palacios, P; Menéndez-Proupin, E; Wahnón, P
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Afiliaciones

ETSI Aeronaut & Espacio, Dept Fis Aplicada Ingn Aeronaut & Naval, Pz Cardenal Cisneros 3, Madrid 28040, Spain - Autor o Coautor
Univ Chile, Fac Ciencias, Dept Fis, Las Palmeras 3425, Santiago 7800003, Chile - Autor o Coautor
Univ Politecn Madrid, ETSI Telecomunicac, Dept Tecnol Foton & Bioingn, Ciudad Univ S-N, E-28040 Madrid, Spain - Autor o Coautor
Univ Politecn Madrid, ETSI Telecomunicac, Inst Energia Solar, E-28040 Madrid, Spain - Autor o Coautor
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Resumen

Density Functional Theory (DFT) has been used to study structural and electronic properties of new compounds based on V-implanted Si and their potential as infrared photodetectors. Effects derived from the implantation of V on bulk-Si are calculated at different configurations, i.e., substitutional (Vsi) and interstitial (Vi) positions as well as the effect of Si vacancies. Despite all implantation processes are energetically penalized, Vi-implanted compound leads to the lowest formation energies. Furthermore, interstitial implantation in the vicinity of a Si vacancy would lead to a highly favored process. The analysis of the electronic structure shows that V, implanted compounds own an intermediate band (due to t(2g) states of vanadium atom), which allows new electronic transitions below 1.0 eV. To deal with the bandgap underestimation of common DFT methods, quasiparticle calculations have been applied via the G(0)W(0) approximation. Applied correction to the bandgap based on GW has considerably improved theoretical results compared to experimental ones. The investigation of the absorption features points out that the absorption response can be extended up to infrared region via sub-gap transitions across the intermediate band. This work highlights the potential of V-implanted silicon based materials with infrared response. (C) 2017 Elsevier B.V. All rights reserved.
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Palabras clave

Augmented-wave methodBrillouin-zone integrationsDftG w 0 0G(0)w(0)InfraredIntermediate bandIntermediate bandsLaser irradiationSiSub-bandgap absorption

Indicios de calidad

Impacto bibliométrico. Análisis de la aportación y canal de difusión

El trabajo ha sido publicado en la revista COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE debido a la progresión y el buen impacto que ha alcanzado en los últimos años, según la agencia Scopus (SJR), se ha convertido en una referencia en su campo. En el año de publicación del trabajo, 2017, se encontraba en la posición , consiguiendo con ello situarse como revista Q1 (Primer Cuartil), en la categoría Computer Science (Miscellaneous). Destacable, igualmente, el hecho de que la Revista está posicionada por encima del Percentil 90.

Independientemente del impacto esperado determinado por el canal de difusión, es importante destacar el impacto real observado de la propia aportación.

Según las diferentes agencias de indexación, el número de citas acumuladas por esta publicación hasta la fecha 2026-04-11:

  • Google Scholar: 7
  • WoS: 8
  • Scopus: 8
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Impacto y visibilidad social

Desde la dimensión de Influencia o adopción social, y tomando como base las métricas asociadas a las menciones e interacciones proporcionadas por agencias especializadas en el cálculo de las denominadas “Métricas Alternativas o Sociales”, podemos destacar a fecha 2026-04-11:

  • La utilización de esta aportación en marcadores, bifurcaciones de código, añadidos a listas de favoritos para una lectura recurrente, así como visualizaciones generales, indica que alguien está usando la publicación como base de su trabajo actual. Esto puede ser un indicador destacado de futuras citas más formales y académicas. Tal afirmación es avalada por el resultado del indicador “Capture” que arroja un total de: 7 (PlumX).

Es fundamental presentar evidencias que respalden la plena alineación con los principios y directrices institucionales en torno a la Ciencia Abierta y la Conservación y Difusión del Patrimonio Intelectual. Un claro ejemplo de ello es:

  • El trabajo se ha enviado a una revista cuya política editorial permite la publicación en abierto Open Access.
  • Asignación de un Handle/URN como identificador dentro del Depósito en el Repositorio Institucional: https://oa.upm.es/50177/

Como resultado de la publicación del trabajo en el repositorio institucional, se han obtenido datos estadísticos de uso que reflejan su impacto. En términos de difusión, podemos afirmar que, hasta la fecha

  • Visualizaciones: 1,265
  • Descargas: 420
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Análisis de liderazgo de los autores institucionales

Este trabajo se ha realizado con colaboración internacional, concretamente con investigadores de: Chile.

Existe un liderazgo significativo ya que algunos de los autores pertenecientes a la institución aparecen como primer o último firmante, se puede apreciar en el detalle: Primer Autor (GARCIA MORENO, GREGORIO JOSE) y Último Autor (WAHNON BENARROCH, PERLA).

el autor responsable de establecer las labores de correspondencia ha sido GARCIA MORENO, GREGORIO JOSE.

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Reconocimientos ligados al ítem

This work was partially supported by the Comunidad de Madrid project MADRID-PV (S2013/MAE/2780) and by the Ministerio de Economia y Competitividad through the project BOOSTER (ENE2013-46624-C4-2-R). The authors acknowledge the computer resources and technical assistance provided by the Centro de Supercomputacion and Visualizacion de Madrid (CeSViMa).
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